| Технические характеристики (G652D Ultra Low Loss) |
| Характеристики |
Условия |
Конкретные значения |
Единицы |
| Оптические характеристики |
| Затухание |
1310nm |
≤0,31 |
[дБ/км] |
| 1550 нм |
≤0,17 |
[дБ/км] |
| 1625 нм |
≤0,20 |
[дБ/км] |
| Затухание против длины волны |
1285-1330 нм, в отношении 1310 нм |
≤0.03 |
[дБ/км] |
| Максимум α -дифференция |
1525-1575 нм в отношении 1550 нм |
≤0,02 |
[дБ/км] |
|
1285-1340 нм |
-3,5 до 3,5 |
[PS/(нм · км)] |
| Дисперсия коэффициент |
1550 нм |
≤18 |
[PS/(нм · км)] |
|
1625 нм |
≤22 |
[PS/(нм · км)] |
| Длина волны нулевой дисперсии (λ 0) |
- |
1300-1324 |
[NM] |
| Нулевой дисперсионный уклон (ы 0) |
- |
≤0,092 |
[PS/(нм 2· км)] |
| ПМД |
Максимальное отдельное волокно |
- |
≤0.1 |
[PS/√km] |
| Ссылка на конструкцию (M = 20 ， Q = 0,01%) |
- |
≤0.06 |
[PS/√km] |
| Типичное значение |
- |
0.04 |
[PS/√km] |
| Кабельная длина волны (λ cc ) |
- |
≤1260 |
[NM] |
| Диаметр поля режима (MFD) |
1310nm |
8.7-9.5 |
[мкм] |
| 1550 нм |
9.8-10.8 |
[мкм] |
| Эффективный групповой индекс преломления (n e ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff |
1310nm |
1.463 |
- |
| 1550 нм |
1.464 |
- |
| Точка разрыва |
1310nm |
≤0,05 |
[DB] |
| 1550 нм |
≤0,05 |
[DB] |
| Геометрические характеристики |
| Диаметр оболочки |
- |
125,0 ± 0,7 |
[мкм] |
| Защита не циркулярности |
- |
≤1,0 |
[%] |
| Диаметр покрытия |
- |
235-255 |
[мкм] |
| Ошибка концентрирования с покрытием |
- |
≤12.0 |
[мкм] |
| Покрытие не циркулярности |
- |
≤6.0 |
[%] |
| Ошибка концентрирования CORE-CONCEDING |
- |
≤0,6 |
[мкм] |
| Керл (радиус) |
- |
≥4 |
[м] |
| Длина доставки1 |
- |
До 25,2 |
[км/катушка] |
| Экологические характеристики |
1310 нм, 1550 нм и 1625 нм |
| Температурная зависимость, вызванная ослаблением |
-60 ℃ до +85 ℃ |
≤0,05 |
[дБ/км] |
| Производительность температурностиции индуцировала ослабление |
От -10 ° C до +85 ° C, 98% RH |
≤0,05 |
[дБ/км] |
| Зависимость от воды, вызванная зависимостью |
23 ° C ， в течение 30 дней |
≤0,05 |
[дБ/км] |
| Влажная зависимость от тепла, вызванная ослаблением |
85 ° C и 85% RH ， в течение 30 дней |
≤0,05 |
[дБ/км] |
| Сухое тепло старение |
85 ℃ |
≤0,05 |
[дБ/км] |
| Механическая спецификация |
| Доказательство испытания2 |
- |
≥9,0 |
[N] |
| - |
≥1,0 |
[%] |
| - |
≥100 |
[kpsi] |
| Макрополосная ослабление |
100 поворотов в радиусе 30 мм радиуса |
1625 нм |
≤0,05 |
[DB] |
| 100 поворотов вокруг оправки радиуса 25 мм |
1310 нм и 1550 нм |
≤0,05 |
[DB] |
| 1 Поверните оправку радиуса 16 мм |
1550 нм |
≤0,05 |
[DB] |
| Покрытие полосатая сила |
Типичная средняя сила |
1.5 |
[N] |
| пиковая сила |
1.3-8.9 |
[N] |
| Динамический параметр усталости (n d ) |
- |
≥20 |
- |
Приложения
YOFC G652D Ultra Low-Mode Одномодовое волокно с профилем с помощью траншеи.
YOFC G652D Ultra Low-Mode Single-Mode Fiber, со специальной конструкцией материала, также предлагает отличные характеристики старения водорода, что гарантирует стабильность применения волокна.
Стандарты продукта
YOFC G652D Ultra Low-Mode Одномодовое волокно основано на 9,1 мкм MFD, так же, как и большинство стандартных одномодовых волокна, пользуясь им для беспрепятственной, соответствующей существующей сети. Он полностью отвечает требованиям передачи сигнала с высокой скоростью, высокой пропускной способностью и расширенными сетевыми расстояниями на одном волокне. YOFC G652D Ultra Low-Mode Одномодовое волокно соответствует ITU-T G.652.B и G.654.C
