| المواصفات (G652D خسارة منخفضة للغاية) |
| صفات |
شروط |
القيم المحددة |
الوحدات |
| الخصائص البصرية |
| التوهين |
1310 نانومتر |
.30.31 |
[ديسيبل/كم] |
| 1550 نانومتر |
.170.17 |
[ديسيبل/كم] |
| 1625 نانومتر |
.20.20 |
[ديسيبل/كم] |
| التوهين مقابل الطول الموجي |
1285-1330 نانومتر، في إشارة إلى 1310 نانومتر |
.030.03 |
[ديسيبل/كم] |
| الأعلى. α الفرق |
1525-1575 نانومتر، في إشارة إلى 1550 نانومتر |
.0.02 |
[ديسيبل/كم] |
|
1285-1340 نانومتر |
-3.5 إلى 3.5 |
[ملاحظة/(نانومتر · كم)] |
| معامل التشتت |
1550 نانومتر |
≥18 |
[ملاحظة/(نانومتر · كم)] |
|
1625 نانومتر |
≥22 |
[ملاحظة/(نانومتر · كم)] |
| الطول الموجي للتشتت الصفري(π 0) |
-- |
1300-1324 |
[نانومتر] |
| منحدر التشتت الصفري (S 0) |
-- |
.0.092 |
[ملاحظة/(نانومتر 2· كم)] |
| بي إم دي |
الحد الأقصى من الألياف الفردية |
-- |
.10.1 |
[ملاحظة/√كم] |
| قيمة تصميم الارتباط (M=20،Q=0.01%) |
-- |
.0.06 |
[ملاحظة/√كم] |
| القيمة النموذجية |
-- |
0.04 |
[ملاحظة/√كم] |
| الطول الموجي لقطع الكابل (lect CC ) |
-- |
≥1260 |
[نانومتر] |
| قطر حقل الوضع (MFD) |
1310 نانومتر |
8.7-9.5 |
[ميكرومتر] |
| 1550 نانومتر |
9.8-10.8 |
[ميكرومتر] |
| مؤشر المجموعة الفعال للانكسار (N e ) |
1310 نانومتر |
1.463 |
-- |
| 1550 نانومتر |
1.464 |
-- |
| انقطاعات النقطة |
1310 نانومتر |
.050.05 |
[ديسيبل] |
| 1550 نانومتر |
.050.05 |
[ديسيبل] |
| الخصائص الهندسية |
| قطر الكسوة |
-- |
125.0 ± 0.7 |
[ميكرومتر] |
| الكسوة غير الدائرية |
-- |
.01.0 |
[%] |
| قطر الطلاء |
-- |
235-255 |
[ميكرومتر] |
| خطأ في تركيز الطلاء والكسوة |
-- |
.012.0 |
[ميكرومتر] |
| طلاء غير دائري |
-- |
.06.0 |
[%] |
| خطأ في تركيز الكسوة الأساسية |
-- |
.60.6 |
[ميكرومتر] |
| حليقة (نصف القطر) |
-- |
≥4 |
[م] |
| طول التسليم1 |
-- |
ما يصل إلى 25.2 |
[كم/بكرة] |
| الخصائص البيئية |
1310 نانومتر، 1550 نانومتر، 1625 نانومتر |
| الاعتماد على درجة الحرارة الناجم عن التوهين |
-60 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية |
.050.05 |
[ديسيبل/كم] |
| درجة الحرارة والرطوبة الدراجات المستحثة التوهين |
-10 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية، 98% رطوبة نسبية |
.050.05 |
[ديسيبل/كم] |
| الاعتماد على الماء الناجم عن التوهين |
23 درجة مئوية لمدة 30 يومًا |
.050.05 |
[ديسيبل/كم] |
| الاعتماد على الحرارة الرطبة الناجم عن التوهين |
85 درجة مئوية و85% رطوبة نسبية لمدة 30 يومًا |
.050.05 |
[ديسيبل/كم] |
| الشيخوخة الحرارية الجافة |
85 درجة مئوية |
.050.05 |
[ديسيبل/كم] |
| المواصفات الميكانيكية |
| اختبار الإثبات2 |
-- |
≥9.0 |
[ن] |
| -- |
≥1.0 |
[%] |
| -- |
≥100 |
[كبسي] |
| التوهين الناجم عن الانحناء الكلي |
100 دورة حول مغزل نصف قطره 30 مم |
1625 نانومتر |
.050.05 |
[ديسيبل] |
| 100 دورة حول مغزل نصف قطره 25 مم |
1310 نانومتر و 1550 نانومتر |
.050.05 |
[ديسيبل] |
| 1 قم بالتدوير حول شياق يبلغ نصف قطره 16 مم |
1550 نانومتر |
.050.05 |
[ديسيبل] |
| طلاء قطاع القوة |
متوسط القوة النموذجية |
1.5 |
[ن] |
| قوة الذروة |
1.3-8.9 |
[ن] |
| معلمة التعب الديناميكي (ن د ) |
-- |
≥20 |
-- |
التطبيقات
YOFC G652D ألياف أحادية الوضع منخفضة الفقد للغاية، مع ملف تعريف مدعوم بالخندق.
YOFC G652D ألياف أحادية الوضع منخفضة الفقد للغاية، مع تصميم مواد خاصة، كما أنها توفر خصائص ممتازة لشيخوخة الهيدروجين، مما يضمن استقرار تطبيق الألياف.
معايير المنتج
تعتمد الألياف أحادية الوضع YOFC G652D فائقة الخسارة على 9.1 ميكرومتر MFD مثل معظم الألياف القياسية أحادية الوضع، مما يجعلها متوافقة بسلاسة مع الشبكة الحالية. إنه يلبي تمامًا متطلبات نقل الإشارة بسرعة عالية وسعة عالية ومسافات شبكية ممتدة عبر ليف واحد. تتوافق الألياف أحادية الوضع YOFC G652D ذات الخسارة المنخفضة جدًا مع ITU-T G.652.B وG.654.C
